TESCAN VEGA – Analytical SEM với Wide Field Optics™, Intermediate Lens™ & In-Flight Beam Tracing

Giới thiệu TESCAN VEGA
Ứng dụng điển hình
Tính năng nổi bật
Thông số kỹ thuật tiêu biểu
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Tổng quan về TESCAN VEGA
Video/Webinar liên quan
Liên hệ & Hỗ trợ

Giới thiệu TESCAN VEGA

VEGA đơn giản hóa công việc phân tích hằng ngày nhờ quang học không khẩu độ của TESCAN và Intermediate Lens™, cho phép chuyển đổi một chạm giữa điều kiện chụp ảnh và điều kiện phân tích. Wide Field Optics™ mang đến ảnh tổng quan SEM trực tiếp ở độ phóng đại thấp đến 2× để điều hướng trực quan trên mẫu lớn, trong khi giao diện đa người dùng Essence™ cùng mô hình tránh va chạm 3D thời gian thực hỗ trợ vận hành an toàn cho mọi trình độ.

Ứng dụng điển hình

Kim loại & hợp kim: QA/QC và phân tích lỗi; đo độ rỗng, kích thước hạt, vi cấu trúc (BSE + EDS tùy chọn).
Hạt & bột: hình thái và kích cỡ; vật liệu có/không phủ trong chế độ HV hoặc chân không thấp.
Địa chất: thạch học và lập bản đồ pha khoáng; tùy chọn CL để quan sát biến thiên cấu trúc/thành phần.
Vi điện tử/điện tử: kiểm tra thiết bị, mặt cắt, mối hàn; bản đồ/line profile EDS trực tiếp (tùy chọn).
Khoa học sự sống: mẫu không phủ, nhạy chùm/tích điện nhờ SingleVac™ hoặc MultiVac™ + GSD (tùy chọn).

Tính năng nổi bật

Hợp nhất chụp ảnh & phân tích

Essence™ EDS (tùy chọn): phổ, bản đồ, line profile hiển thị trực tiếp trong cửa sổ SEM; dữ liệu gắn với tọa độ bàn mẫu.
Chuyển đổi một chạm giữa chụp ảnh dòng thấp và phân tích dòng cao — không cần căn chỉnh cơ khí.

Intermediate Lens™ & In-Flight Beam Tracing™

Tối ưu kích thước đốm chùm theo dòng dò; đạt đúng landing current người vận hành yêu cầu.
Duy trì SNR và độ phân giải trong điều kiện phân tích.

Điều hướng Wide Field Optics™

Ảnh tổng quan SEM trực tiếp ở 2× với độ sâu trường lớn; không cần camera quang học rời.
Điều hướng chính xác trên gá nghiêng/EBSD nhờ hiệu chỉnh scanning-tilt.

Khả năng chân không thấp

SingleVac™ (tiêu chuẩn): cấu hình chân không thấp cho phép quan sát mẫu tích điện không cần phủ.
MultiVac™ (tùy chọn, 7–500 Pa, N₂/H₂O): kèm GSD giúp chụp địa hình hiệu quả với mẫu cách điện/thoát khí.

Dễ dùng & an toàn

Quy trình hướng dẫn, preset, Undo/Redo, tìm kiếm nhanh; bố cục đa người dùng trong Essence™.
Mô hình tránh va chạm 3D trong Essence™ để ngăn va chạm thời gian thực với detector/phụ kiện trong buồng.

Thông số kỹ thuật tiêu biểu

Thông số	Giá trị (đại diện)
Nguồn điện tử	Catot sợi đốt tungsten
Độ phân giải (HV)	3 nm @ 30 keV (SE); 8 nm @ 3 keV (SE)
Độ phân giải (LV)	3.5 nm @ 30 keV (BSE/GSD*)
Điện áp gia tốc	200 eV – 30 keV
Dòng dò (Probe current)	1 pA – 2 µA (điều chỉnh liên tục)
Chế độ chân không	High Vacuum; SingleVac™ (preset); MultiVac™* 7–500 Pa (N₂/H₂O)
Độ phóng đại	2× – 1 000 000×
Phần mềm	TESCAN Essence™ (giao diện đa người dùng, preset, 3D Collision Model; Image Snapper, scripting*)

*Tùy chọn. Thông số có thể thay đổi tùy cấu hình và module lắp đặt.

Câu hỏi thường gặp (FAQ)

VEGA tối ưu quy trình phân tích như thế nào?
Tùy chọn Essence™ EDS tích hợp hoàn toàn cho phép phổ, bản đồ và line profile trực tiếp trong cửa sổ SEM; mọi kết quả được lưu kèm tọa độ bàn mẫu.

VEGA có chụp được mẫu tích điện hay nhạy chùm?
Có. SingleVac™ là tiêu chuẩn cho mẫu không phủ; MultiVac™ (7–500 Pa) với GSD tăng cường ảnh địa hình cho vật liệu cách điện/thoát khí.

VEGA có thể mở rộng không?
Có. Nền tảng mô-đun hỗ trợ nhiều lựa chọn BSE, CL và EDS/EBSD/WDS của bên thứ ba, cùng Raman (RISE™).

Tổng quan về TESCAN VEGA

TESCAN VEGA mang lại lộ trình nhanh, trực quan và có thể lặp lại để thu dữ liệu hình thái và thành phần chất lượng cao. Wide Field Optics™, Intermediate Lens™ với In-Flight Beam Tracing™ cùng tùy chọn Essence™ EDS phối hợp để nâng cao chất lượng ảnh và tăng tốc phân tích cho QA/QC, phân tích lỗi và R&D.