TESCAN MIRA XR – FE-SEM UHR với tự động hóa thông minh & Dual Essence™ EDS

Giới thiệu TESCAN MIRA XR
Ứng dụng điển hình
Tính năng nổi bật
Thông số kỹ thuật tiêu biểu
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
Tổng quan về TESCAN MIRA XR
Video/Webinar liên quan
Liên hệ & Hỗ trợ

Giới thiệu TESCAN MIRA XR

MIRA XR phát triển trên cột BrightBeam™ tinh chỉnh với quang học điện tĩnh–từ kết hợp, đạt độ phân giải cao ở cả điện áp thấp/cao đồng thời duy trì dòng dò phục vụ phân tích. Hệ detector gọn giúp chụp SE/BSE nhanh; với tùy chọn BSE rút (bao gồm low-energy BSE), hệ mang lại tương phản thành phần phong phú cho cả quy trình thường nhật lẫn nâng cao.

Ứng dụng điển hình

QA/QC & sản xuất: kiểm tra định kỳ, phân tích lỗi, giám sát quy trình.
Kim loại, hợp kim & phủ: độ rỗng, kích thước hạt, vi cấu trúc; kiểm tra EDS nhanh.
Hạt & bột: hình thái và kích cỡ ở điện áp thấp/cao.
Địa chất & xi măng: thạch học, lập bản đồ pha, luồng công việc khoáng học tự động.
R&D tổng quát: ảnh độ phân giải cao kèm phân tích thành phần tích hợp.

Tính năng nổi bật

Tự động hoá In-Flight™ & Năng suất

In-Flight™ Beam Tracing™ kèm tự động Brightness/Contrast, căn tâm tinh và auto stigmators giúp giảm thời gian căn chỉnh, duy trì tiêu cự tối ưu khi đổi dòng dò.
Chuyển một chạm giữa điều kiện chụp ảnh (dòng thấp) và phân tích (dòng cao) không cần căn chỉnh cơ khí.

Dual Essence™ EDS tích hợp

EDS tích hợp hoàn toàn (phổ, bản đồ, line scan) ngay trong cửa sổ SEM trực tiếp; kết quả gắn với toạ độ bàn mẫu.
Duy trì SNR và độ phân giải dưới điều kiện phân tích.

Điều hướng Wide Field Optics™

Ảnh tổng quan SEM trực tiếp tới 2× với độ sâu trường lớn — không cần camera quang học rời.
Điều hướng chính xác trên gá nghiêng/EBSD nhờ hiệu chỉnh scanning-tilt.

MultiVac™ cho mẫu khó

Chân không cao cho độ phân giải không thoả hiệp; MultiVac™ 7–500 Pa cho vật liệu cách điện/nhạy chùm.
Tối ưu trung hoà tích điện và tương thích detector trong chế độ áp suất biến thiên.

Phần mềm Essence™ & an toàn

Giao diện mô-đun, trực quan (tìm kiếm, preset, bố cục đa người dùng, Undo/Redo, hiển thị đa kênh thời gian thực).
Essence™ 3D Collision model mô phỏng hình học buồng và dự đoán chuyển động bàn/gắn ngoại vi để bảo vệ các detector rút.

Thông số kỹ thuật tiêu biểu

Thông số	Giá trị (đại diện)
Nguồn điện tử	Súng phát xạ trường Schottky (FEG)
Năng lượng chùm tới (landing energy)	50 eV – 30 keV (thấp hơn 50 eV với bias mẫu / BDT*)
Dòng dò (probe current)	Tới 400 nA (điều chỉnh liên tục)
Độ phân giải (chân không cao)	0,8 nm @ 30 keV (STEM), ~0,9 nm @ 30 keV (SE), 1,4 nm @ 1 keV với bias mẫu (BDT), 1,7 nm @ 0,5 keV
Độ phân giải (chân không thấp)*	1,5 nm @ 30 keV với GSD, 3,0 nm @ 3 keV với GSD
Độ phóng đại	2× – 2.000.000×
Chế độ chân không	Chân không cao (<1×10⁻³ Pa); MultiVac™ 7 – 500 Pa*
Detector (ví dụ)	SE (E-T), SE/BSE trục-trong, BSE 4-quadrant rút, low-energy BSE, GSD (MultiVac™), CL, STEM
Phân tích tích hợp	Dual Essence™ EDS (bản đồ, phổ, line); EBSD, WDS

*Tính năng tuỳ chọn và phụ thuộc cấu hình. Thông số có thể thay đổi tùy cấu hình phần mềm và tùy chọn lắp đặt.

Câu hỏi thường gặp (FAQ)

MIRA XR giảm thời gian căn chỉnh như thế nào?
Nhờ tự động hoá In-Flight™ (Beam Tracing™, auto B/C, căn tâm tinh, auto stigmators) giữ cột luôn tối ưu khi thay đổi dòng dò/điều kiện.

Có cần camera quang học để điều hướng không?
Không. Wide Field Optics™ cung cấp ảnh tổng quan SEM trực tiếp tới 2× để điều hướng trực quan.

MIRA XR có xử lý được mẫu cách điện không?
Có. MultiVac™ (7–500 Pa) hỗ trợ vận hành áp suất biến thiên, giảm tích điện và tương thích detector phù hợp.

Tổng quan về TESCAN MIRA XR

TESCAN MIRA XR kết hợp ảnh UHR, phân tích thành phần tích hợp và tự động hoá trong một nền tảng FE-SEM được thiết kế cho năng suất, ổn định và tái lặp giữa nhiều người dùng.